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韩媒报导,南韩科技大厂“三星电子( Samsung )”预计将在本周四(30日)正式宣布量产3奈米芯片。
据三星说法,与台积电鳍式场效电晶体(FinFET)架构製程相比,GAA技术可将芯片面积减少45%,同时性能提高30%,功耗降低50%。
报导指出,若消息属实,三星3奈米芯片量产进度将抢先台积电、英特尔等竞争对手,台积电、英特尔分别预计在今年下半年和明年下半年开始量产开始量产3奈米芯片。
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