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韩媒报导，南韩科技大厂“三星电子（ Samsung ）”预计将在本周四（30日）正式宣布量产3奈米芯片。
据三星说法，与台积电鳍式场效电晶体（FinFET）架构製程相比，GAA技术可将芯片面积减少45%，同时性能提高30%，功耗降低50%。
报导指出，若消息属实，三星3奈米芯片量产进度将抢先台积电、英特尔等竞争对手，台积电、英特尔分别预计在今年下半年和明年下半年开始量产开始量产3奈米芯片。
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