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三星在3D闪存上又一次超越了…
www.creaders.net | 2021-11-22 15:57:33  ZOL | 0条评论 | 查看/发表评论
 

  作为全球NAND闪存市场的一哥,三星在3D闪存上又要领先其他厂商了,日前在三星技术论坛上,三星公布了第八代V-NAND的细节,堆栈层数超过200层,容量可达1Tbit,512GB容量的厚度也只有0.8mm,可用于手机。

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  三星的V-NAND闪存现在演员发展到了第七代V-NAND V7,堆栈层数176层,TLC版核心容量512Gbit,而即将推出的V-NAND V8层数将超过200——三星没提到具体多少层,但之前的报道中指出是228层,提升30%左右,存储密度提升了40%左右。

  V-NAND V8闪存的单颗核心容量也从之前的512Gbit翻倍到了1Tbit,同时性能也更强,IO接口速率从2Gbps提升到了2.4Gbps,性能更适配最新的PCIe 5.0标准。

  得益于存储容量更大. V-NAND V8闪存的厚度依然可以控制在合理水平,封装512GB容量也不超过0.8mm,可以用于新一代智能手机。

  在未来,三星的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升,路线图中的目标是超过500层,这被视为3D闪存的极限,不过三星还在想法突破,最终能制造1000层堆栈的3D闪存。

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